Топологическое проектирование

1-ый шаг топологического проектирования заключается в разработке логических вентилей, применяемых в данном устройстве. По техническому заданию разрабатываемое устройство проектируется в технологическом базисе ES2-0.7um.

Топологические схемы применяемых вентилей представлены на рисунках 19-20.

Набросок 19 - Инвертор, 2nor, 3nor

Набросок 20 – Буфер

Дальше при помощи приобретенных частей приступаем к реализации топологии разрабатываемого устройства.

Топология устройства представлена на рисунке Топологическое проектирование 21.

Набросок 21 - Топология устройства

Аналитические расчеты

Расчёт входных емкостей ЛЭ.

Входная ёмкость КМОП-элемента образована емкостями подзатворного

диэлектрика n-и p-канального транзисторов и рассчитывается по формуле плоского конденсатора:

Вычислим емкости всех ЛЭ и занесем их в таблицу 3.

Таблица 3 - Входные емкости ЛЭ

Расчёт удельных паразитных сопротивления и ёмкости слоя металлизации.

Разработка ES2-0.7um Топологическое проектирование, как следует, Wme=3λ= мкм.

При помощи формулы плоского конденсатора вычислим удельную паразитную емкость:

Зная данное технологией, можем вычислить удельное погонное сопротивление дорожки металлизации по формуле:

Расчет очень допустимой длины шины разводки металла.

Логические элементы в CMOS имеют входные емкости и естественно владеют выходным сопротивлением. Процесс включения ЛЭ можно представить Топологическое проектирование как заряд входной емкости, через выходное сопротивление аналогичного ЛЭ с неизменной времени равной: .

Дорожки металлизации владеют удельными сопротивлениями и емкостями. Воздействие этих паразитных емкостей и сопротивлений можно учитывать, включив N RC цепочек, чем больше N, тем поточнее будет смоделировано воздействие паразитных частей.

Схема показана на рисунке 22.

Набросок 22 - Учет воздействия межсоединений

В Топологическое проектирование рамках курсового проекта ограничимся одним резистором и одной емкостью при расчете воздействия паразитных частей.

τ с учётом задержки в межсоединении:

Полагая, что сквозным током через логический элемент можно пренебречь, что выходное сопротивление ЛЭ не превосходит сопротивления инвертора, и что огромную часть времени при переключении ЛЭ транзистор работает в крутой области Топологическое проектирование:

- наибольший коэффициент разветвеления, встречающийся в схеме.

.

Для оценки воздействия положим, что воздействие считается пренебрежимым, если неизменная времени возрастает наименее, чем на 10%.

Пусть

Найдем при котором

Приведем уравнение к квадратному от .

Решая квадратное уравнение, получаем:

Расчет потребляемой мощности.

Для оценки потребляемой мощности устройства положим, что все вентили переключаются один раз Топологическое проектирование за период. При всем этом заряд протекает с питания на землю. Мы пренебрегаем воздействием паразитных частей и сквозными токами.

Динамическая мощность рассчитывается по формуле:

- коэффициент объединения по входу

- входная емкость логического элемента

- нагрузочная емкость устройства

- рабочая частота устройства

На рисунке 23 показан график средней потребляемой мощности устройства.

Набросок 23 – Средняя потребляемая мощность устройства

Можем созидать Топологическое проектирование, что средняя мощность , что согласуется с приведенным выше расчетом.

Заключение

Синтезирован делитель частоты с переменной скважностью выходного сигнала на базе RS-триггера. Требования технического задания выполнены. Проектирование выполнено в данном логическом базисе с внедрением RS-триггера как базисного.

Буферный элемент удачно обеспечивает данное в техническом задании быстродействие tфр=3ns, наибольшая рабочая частота Топологическое проектирование устройства f = 132 МГц.

Топологическое проектирование выполнено удачно, в процессе аналитических расчётов вычислена наибольшая длина межсоединения – 130 um, воздействием межсоединений на работу устройства в неких узлах пренебречь нельзя.

Перечень применяемой литературы

1. Цифровая схемотехника. Угрюмов Е.П. 2004 г.

2. Проектирование схем в программке Schematics системы OrCAD. Гуминов Н.В., А.А. Миндеева 2007 г Топологическое проектирование.

3. Методические указания к выполнению курсового проекта по курсу "Микросхемотехника ЦИС"

4. Интегральные схемы на КМОП-транзисторах. В.В.Ракитин, Москва 2007 г.


torguyut-smertyu-gosduma-dopolnila-ugolovnij-kodeks-novoj-glavoj-o-konfiskacii-imushestva.html
tormozhenie-prezhnej-dominanti-novoj.html
tormozhenie-uslovnih-refleksov-vneshnee-tormozhenie-ego-vidi-mehanizmi-i-znachenie-dlya-adaptacii-organizma-k-okruzhayushej-srede.html